研究界面电荷对gan共振隧穿二极管隧穿特性的影响

研究界面电荷对gan共振隧穿二极管隧穿特性的影响 收藏此文
全部作者 ： 张红英 王基庆
第一作者单位 ： 华东师范大学电子科学技术系
论文摘要 ： 本文采用非平衡格林函数方法研究了低温下界面电荷对al0.15ga0.85n/gan/al0.15ga0.85n共振隧穿二极管的i-v性能的影响。研究发现：共振隧穿能级及电压峰位随着界面电荷浓度的提高而增加；与正界面电荷相比，右侧负界面电荷对器件隧穿性能的影响更大。另外，共振隧穿二极管的i-v曲线峰谷比（pvr）在一定的界面电荷浓度范围内得到最大值。
关键词 ： 界面电荷；共振隧穿二极管；i-v
发表日期 ： 2009年07月02日
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